창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZB784-C6V2,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZB784 Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
구성 | 공통 양극 1쌍 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 180mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 934056306115 BZB784-C6V2 T/R BZB784-C6V2 T/R-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZB784-C6V2,115 | |
관련 링크 | BZB784-C6, BZB784-C6V2,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | RCP0505B12R0JEC | RES SMD 12 OHM 5% 5W 0505 | RCP0505B12R0JEC.pdf | |
![]() | OF275JE | RES 2.7M OHM 1/2W 5% AXIAL | OF275JE.pdf | |
![]() | P51-750-S-Y-I36-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 750 PSI (5171.07 kPa) Sealed Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-750-S-Y-I36-4.5OVP-000-000.pdf | |
![]() | HIT562Q | HIT562Q REN SMD or Through Hole | HIT562Q.pdf | |
![]() | F258 | F258 TI SOP-16 | F258.pdf | |
![]() | HSD669A-B | HSD669A-B ORIGINAL TO220 | HSD669A-B.pdf | |
![]() | 61-8755.17 | 61-8755.17 GARMIN SOP8 | 61-8755.17.pdf | |
![]() | ITS4880R. | ITS4880R. INFINEON SSOP36 | ITS4880R..pdf | |
![]() | E013NL | E013NL PULSE SMD or Through Hole | E013NL.pdf | |
![]() | 927845-2 | 927845-2 TYCO SMD or Through Hole | 927845-2.pdf | |
![]() | C24A1G | C24A1G VTI SOIC8 | C24A1G.pdf | |
![]() | NAWE220M16V5X5.5NBF | NAWE220M16V5X5.5NBF NIC SMD or Through Hole | NAWE220M16V5X5.5NBF.pdf |