창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZB784-C2V7,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZB784 Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
구성 | 공통 양극 1쌍 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.7V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 180mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 20µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 934056297115 BZB784-C2V7 T/R BZB784-C2V7 T/R-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZB784-C2V7,115 | |
관련 링크 | BZB784-C2, BZB784-C2V7,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
GRM2196T2A9R7DD01D | 9.7pF 100V 세라믹 커패시터 T2H 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2196T2A9R7DD01D.pdf | ||
744786015A | 1.5nH Unshielded Multilayer Inductor 600mA 100 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | 744786015A.pdf | ||
MCS04020C1000FE000 | RES SMD 100 OHM 1% 1/10W 0402 | MCS04020C1000FE000.pdf | ||
P61-200-S-A-I36-4.5V-C | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Sealed Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P61-200-S-A-I36-4.5V-C.pdf | ||
MY4Z-D-12VDC | MY4Z-D-12VDC ORIGINAL DIP | MY4Z-D-12VDC.pdf | ||
TIP42E | TIP42E ORIGINAL SMD or Through Hole | TIP42E.pdf | ||
HA32 | HA32 TI TSSOP-14 | HA32.pdf | ||
UC38750DWP | UC38750DWP ORIGINAL SOP28 | UC38750DWP.pdf | ||
AD1826-0973 | AD1826-0973 AD DIP | AD1826-0973.pdf | ||
QS18VP6LP | QS18VP6LP FREE SMD or Through Hole | QS18VP6LP.pdf | ||
XC 78067-2 | XC 78067-2 GIC QFP | XC 78067-2.pdf |