창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BYX66-800R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | BYX66-800R | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | BYX66-800R | |
| 관련 링크 | BYX66-, BYX66-800R 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 416F26033IST | 26MHz ±30ppm 수정 시리즈 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26033IST.pdf | |
![]() | MLP2520W3R3MT0S1 | 3.3µH Shielded Multilayer Inductor 1.2A 208 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | MLP2520W3R3MT0S1.pdf | |
![]() | RCWE0612R150FNEA | RES SMD 0.15 OHM 1% 1W 0612 | RCWE0612R150FNEA.pdf | |
![]() | HM62W8512LTTI-8SL | HM62W8512LTTI-8SL HIT TSOP | HM62W8512LTTI-8SL.pdf | |
![]() | K6R1016V1D-JI08 | K6R1016V1D-JI08 SAMSUNG TSOP | K6R1016V1D-JI08.pdf | |
![]() | M5M5256DRV | M5M5256DRV MIT TSSOP | M5M5256DRV.pdf | |
![]() | TACL335K002RNJ | TACL335K002RNJ AVX L | TACL335K002RNJ.pdf | |
![]() | UPD78F0078GC-8BS | UPD78F0078GC-8BS NEC LQFP | UPD78F0078GC-8BS.pdf | |
![]() | SML-610PTT86 | SML-610PTT86 ROHM SMD or Through Hole | SML-610PTT86.pdf | |
![]() | CBG201209U102 | CBG201209U102 FH SMD | CBG201209U102.pdf | |
![]() | MPC8245LZU35D | MPC8245LZU35D MOTO QFP | MPC8245LZU35D.pdf | |
![]() | X1G002351001300 | X1G002351001300 SEIKO SMD or Through Hole | X1G002351001300.pdf |