창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-BYV32E-220 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | BYV32E-220 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | TO-220 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | BYV32E-220 | |
관련 링크 | BYV32E, BYV32E-220 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | C1608NP01H101J080AA | 100pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608NP01H101J080AA.pdf | |
![]() | GCM1885C1H201JA16D | 200pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GCM1885C1H201JA16D.pdf | |
![]() | GJM1555C1H9R3BB01D | 9.3pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GJM1555C1H9R3BB01D.pdf | |
![]() | AISC-1008F-1R5J-T | 1.5µH Unshielded Wirewound Inductor 630mA 760 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | AISC-1008F-1R5J-T.pdf | |
![]() | DDR-GJS-MN2-1 | DDR-GJS-MN2-1 DOMINANT SMD | DDR-GJS-MN2-1.pdf | |
![]() | TA0604A | TA0604A TST SMD | TA0604A.pdf | |
![]() | G6M-1ADC5 | G6M-1ADC5 OMRON SMD or Through Hole | G6M-1ADC5.pdf | |
![]() | M6820 | M6820 EUTECH WCSP-6 | M6820.pdf | |
![]() | GM7230-3.3TB5BT | GM7230-3.3TB5BT GAMMA TO-220 | GM7230-3.3TB5BT.pdf | |
![]() | UPD17217GT-536(MS) | UPD17217GT-536(MS) NEC SOP28 | UPD17217GT-536(MS).pdf | |
![]() | JM80547RE077256(SL7TP) | JM80547RE077256(SL7TP) INTEL SMD or Through Hole | JM80547RE077256(SL7TP).pdf | |
![]() | LM431ACM NOPB | LM431ACM NOPB NSC SMD or Through Hole | LM431ACM NOPB.pdf |