창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BYT61B-100R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | BYT61B-100R | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | MODULE | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | BYT61B-100R | |
| 관련 링크 | BYT61B, BYT61B-100R 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | C1206C563J5GACTU | 0.056µF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C563J5GACTU.pdf | |
![]() | 475MPW160K | 4.7µF Film Capacitor 90V 160V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.709" Dia x 1.339" L (18.00mm x 34.00mm) | 475MPW160K.pdf | |
![]() | 445W32C13M00000 | 13MHz ±30ppm 수정 16pF 50옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W32C13M00000.pdf | |
![]() | S0402-4N7H3B | 4.7nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 150 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-4N7H3B.pdf | |
![]() | 2SA1012L-O-TN3-R | 2SA1012L-O-TN3-R UTC TO-252 | 2SA1012L-O-TN3-R.pdf | |
![]() | NAND256W3A2AN6F/E | NAND256W3A2AN6F/E STM SMD or Through Hole | NAND256W3A2AN6F/E.pdf | |
![]() | MB88543PF-G | MB88543PF-G FUJI QFP | MB88543PF-G.pdf | |
![]() | 88E6151-A0-LKJ-C000-MARVELL | 88E6151-A0-LKJ-C000-MARVELL ORIGINAL SMD or Through Hole | 88E6151-A0-LKJ-C000-MARVELL.pdf | |
![]() | AT24C512AN-10PC | AT24C512AN-10PC ATMEL SMD or Through Hole | AT24C512AN-10PC.pdf | |
![]() | DV164102 | DV164102 MICROCHIP Call | DV164102.pdf | |
![]() | C03DE170 | C03DE170 ST TO-3P-4 | C03DE170.pdf | |
![]() | S-8242BBF-T8T1G | S-8242BBF-T8T1G SEIKOINSTRUMENTS SMD or Through Hole | S-8242BBF-T8T1G.pdf |