창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BYQ28EF-200-E3/45 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BYQ28E(F,B)-100/200, UG(F,B)10B Packaging Information | |
| 비디오 파일 | Functions & Parameters of the “Simplest” Semiconductor | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 5A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 5A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 25ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 200V | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
| 공급 장치 패키지 | ITO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BYQ28EF-200-E3/45 | |
| 관련 링크 | BYQ28EF-20, BYQ28EF-200-E3/45 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | PTFA092201EV4R0XTMA1 | IC FET RF LDMOS H-36260-2 | PTFA092201EV4R0XTMA1.pdf | |
![]() | AD782BRU | AD782BRU AD SMD or Through Hole | AD782BRU.pdf | |
![]() | D2831-S11-1-R791BULK51030670B | D2831-S11-1-R791BULK51030670B FUJIT-SIEM SMD or Through Hole | D2831-S11-1-R791BULK51030670B.pdf | |
![]() | A1162/SMD | A1162/SMD ORIGINAL SMD or Through Hole | A1162/SMD.pdf | |
![]() | ESLM201VSN221MQ15S | ESLM201VSN221MQ15S ORIGINAL DIP-2 | ESLM201VSN221MQ15S.pdf | |
![]() | ET21J1AVQE2 | ET21J1AVQE2 ORIGINAL SMD or Through Hole | ET21J1AVQE2.pdf | |
![]() | LTP1245A-C384-E | LTP1245A-C384-E SII NA | LTP1245A-C384-E.pdf | |
![]() | L65201 | L65201 ST SOP | L65201.pdf | |
![]() | CSTCR6M29G55B-R0 | CSTCR6M29G55B-R0 MURATA SMD or Through Hole | CSTCR6M29G55B-R0.pdf | |
![]() | C1691C | C1691C NEC DIP8 | C1691C.pdf | |
![]() | M191773 | M191773 ORIGINAL SMD or Through Hole | M191773.pdf | |
![]() | AR6001XZ-BF1A-R | AR6001XZ-BF1A-R ATHEROS BGA | AR6001XZ-BF1A-R.pdf |