창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BUZ11_NR4941 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BUZ11 TO220B03 Pkg Drawing | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1600 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 75W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | BUZ11NR4941 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BUZ11_NR4941 | |
| 관련 링크 | BUZ11_N, BUZ11_NR4941 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | AA1210FR-076K8L | RES SMD 6.8K OHM 1% 1/2W 1210 | AA1210FR-076K8L.pdf | |
![]() | RT0805BRE07365KL | RES SMD 365K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRE07365KL.pdf | |
![]() | RT0603WRB07649RL | RES SMD 649 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RT0603WRB07649RL.pdf | |
![]() | 2SA1409-L | 2SA1409-L NEC TO-92 | 2SA1409-L.pdf | |
![]() | MAC220-5G | MAC220-5G ON T0-220 | MAC220-5G.pdf | |
![]() | T4B | T4B ORIGINAL SOT23-5 | T4B.pdf | |
![]() | R5F64111DFB#U0 | R5F64111DFB#U0 RENESAS Call | R5F64111DFB#U0.pdf | |
![]() | ARA4 | ARA4 ORIGINAL MSOP8 | ARA4.pdf | |
![]() | NAU8812RG,0,1E | NAU8812RG,0,1E NUVOTON SMD or Through Hole | NAU8812RG,0,1E.pdf | |
![]() | PC28F640P33B85D | PC28F640P33B85D INTEL BGAPB | PC28F640P33B85D.pdf | |
![]() | TH22676.1 | TH22676.1 MELEXIS SMD or Through Hole | TH22676.1.pdf | |
![]() | K9F4G09UOA-PCBO | K9F4G09UOA-PCBO SAM TSSOP | K9F4G09UOA-PCBO.pdf |