창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BUK9Y65-100E,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BUK9Y65-100E | |
| PCN 조립/원산지 | TrenchMOS Silicon Process 19/Sep/2014 Wafer Fab Site Transfer 15/Dec/2014 | |
| PCN 포장 | Lighter Reel Update 29/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 63.3m옴 @ 5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1523pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 64W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | |
| 공급 장치 패키지 | LFPAK, 전원-SO8 | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | 568-10280-2 934067039115 BUK9Y65-100E,115-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BUK9Y65-100E,115 | |
| 관련 링크 | BUK9Y65-1, BUK9Y65-100E,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | DSC2G02C0L | TRANS NPN 20V 0.015A MINI3 | DSC2G02C0L.pdf | |
![]() | MS4800B-20-1040 | SAFETY LIGHT CURTAIN | MS4800B-20-1040.pdf | |
![]() | 1206-0.33R | 1206-0.33R ORIGINAL SMD or Through Hole | 1206-0.33R.pdf | |
![]() | BCM5692A1KEB P11 | BCM5692A1KEB P11 BROADCOM BGA | BCM5692A1KEB P11.pdf | |
![]() | BC858BFE6327 | BC858BFE6327 INFINEON TSFOP-3 | BC858BFE6327.pdf | |
![]() | 3X3 3.3K | 3X3 3.3K ORIGINAL SMD or Through Hole | 3X3 3.3K.pdf | |
![]() | AGMA-NAA | AGMA-NAA AMIS PLCC-84 | AGMA-NAA.pdf | |
![]() | MT7160 | MT7160 DENSO DIP | MT7160.pdf | |
![]() | S1l50753F22G000 | S1l50753F22G000 EPSON QFP128 | S1l50753F22G000.pdf | |
![]() | DS80PCI402 | DS80PCI402 NS QFN54 | DS80PCI402.pdf | |
![]() | SE-3025C | SE-3025C SHRDQ/ SMD or Through Hole | SE-3025C.pdf |