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NXP Semiconductors BUK9Y19-100E,115

BUK9Y19-100E,115
제조업체 부품 번호
BUK9Y19-100E,115
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK
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내부 부품 번호EIS-BUK9Y19-100E,115
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BUK9Y19-100E
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C56A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs18m옴 @ 15A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.1V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs39nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds5085pF @ 25V
전력 - 최대167W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
공급 장치 패키지LFPAK, 전원-SO8
표준 포장 1,500
다른 이름568-11546-2
934066629115
BUK9Y19-100E,115-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)BUK9Y19-100E,115
관련 링크BUK9Y19-1, BUK9Y19-100E,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
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