창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BUK953R5-60E,127 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BUK953R5-60E | |
| PCN 단종/ EOL | EOL 01/Jun/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.4m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13490pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 293W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 568-9864-5 934066476127 BUK953R560E127 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BUK953R5-60E,127 | |
| 관련 링크 | BUK953R5-, BUK953R5-60E,127 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | RG2012P-6343-D-T5 | RES SMD 634K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012P-6343-D-T5.pdf | |
![]() | RT1210BRD0714R3L | RES SMD 14.3 OHM 0.1% 1/4W 1210 | RT1210BRD0714R3L.pdf | |
![]() | CP00151R000JB313 | RES 1 OHM 15W 5% AXIAL | CP00151R000JB313.pdf | |
![]() | 3022-050-N | Accelerometer Z Axis ±50g 1kHz | 3022-050-N.pdf | |
![]() | BCR108WH6327 | BCR108WH6327 INF SMD or Through Hole | BCR108WH6327.pdf | |
![]() | AD9281ARSRL/AD80098 | AD9281ARSRL/AD80098 ORIGINAL SMD or Through Hole | AD9281ARSRL/AD80098.pdf | |
![]() | AQ8211CY-M5-AJ-TRL | AQ8211CY-M5-AJ-TRL ACUTECH SMD or Through Hole | AQ8211CY-M5-AJ-TRL.pdf | |
![]() | HC75810IB | HC75810IB IR TDFN-EP8 | HC75810IB.pdf | |
![]() | PAM8425 | PAM8425 PAM QFN48 | PAM8425.pdf | |
![]() | LMNR5040T150N | LMNR5040T150N TAIYO SMD or Through Hole | LMNR5040T150N.pdf | |
![]() | M38003M6-055SP | M38003M6-055SP MIT DIP | M38003M6-055SP.pdf | |
![]() | KM44V4100CK-6 | KM44V4100CK-6 SAMSUNG SOJ24 | KM44V4100CK-6.pdf |