창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BUK9506-75B,127 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BUK9506-75B | |
| PCN 단종/ EOL | EOL 30/Dec/2015 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Automotive TO-220AB Devices Future EOL 23/Oct/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | TrenchMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.5m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11693pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 568-6632 568-6632-5 568-6632-ND 934057111127 BUK9506-75B BUK9506-75B,127-ND BUK9506-75B-ND BUK950675B127 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BUK9506-75B,127 | |
| 관련 링크 | BUK9506-7, BUK9506-75B,127 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | 416F260XXALT | 26MHz ±15ppm 수정 12pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F260XXALT.pdf | |
![]() | H828R7BDA | RES 28.7 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H828R7BDA.pdf | |
![]() | FS12KM_5 | FS12KM_5 ORIGINAL TO 220 | FS12KM_5.pdf | |
![]() | 10FWJ2C48M | 10FWJ2C48M TOS SMD or Through Hole | 10FWJ2C48M.pdf | |
![]() | BAT42WSTP | BAT42WSTP N/A N A | BAT42WSTP.pdf | |
![]() | SD2002DPI | SD2002DPI SD SIP-8 | SD2002DPI.pdf | |
![]() | CM105X5R225K06AT1608 | CM105X5R225K06AT1608 AVX SMD | CM105X5R225K06AT1608.pdf | |
![]() | RD10ES-T4-AZ(AB1) | RD10ES-T4-AZ(AB1) NEC SMD or Through Hole | RD10ES-T4-AZ(AB1).pdf | |
![]() | SAF7730VF/366 | SAF7730VF/366 PHI TQFP | SAF7730VF/366.pdf | |
![]() | MP7507SD | MP7507SD PMI DIP-28 | MP7507SD.pdf |