창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BUK7Y29-40EX | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BUK7Y29-40E | |
PCN 조립/원산지 | TrenchMOS Silicon Process 19/Sep/2014 Wafer Fab Site Transfer 15/Dec/2014 | |
PCN 포장 | Leader/Trailer Update 03/Apr/2015 Lighter Reel Update 29/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | TrenchMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 29m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.9nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 492pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 37W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | |
공급 장치 패키지 | LFPAK, 전원-SO8 | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | 568-10265-2 934067435115 BUK7Y29-40EX-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BUK7Y29-40EX | |
관련 링크 | BUK7Y29, BUK7Y29-40EX 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
445A32G16M00000 | 16MHz ±30ppm 수정 30pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A32G16M00000.pdf | ||
402F30012IJT | 30MHz ±10ppm 수정 9pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F30012IJT.pdf | ||
M38223FAFP | M38223FAFP MIT QFP | M38223FAFP.pdf | ||
CAT1163WI-30 | CAT1163WI-30 ORIGINAL SMD or Through Hole | CAT1163WI-30.pdf | ||
MAX4395EUB+T | MAX4395EUB+T MAXIM TSSOP14 | MAX4395EUB+T.pdf | ||
ST380CH04C0L | ST380CH04C0L IR SMD or Through Hole | ST380CH04C0L.pdf | ||
PH1819-25573/869 | PH1819-25573/869 PH SMD or Through Hole | PH1819-25573/869.pdf | ||
BCM5324M | BCM5324M BROADCOM BGA | BCM5324M.pdf | ||
SUM90N03-2M2P-GE3 | SUM90N03-2M2P-GE3 VISHAY SMD or Through Hole | SUM90N03-2M2P-GE3.pdf | ||
SW20CXC950 | SW20CXC950 ORIGINAL MODULE | SW20CXC950.pdf | ||
2512-R025 | 2512-R025 ORIGINAL 2512 | 2512-R025.pdf | ||
F6670 | F6670 FAIRCHILD TO-252 | F6670.pdf |