홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » BUK7E1R9-40E,127

NXP Semiconductors BUK7E1R9-40E,127

BUK7E1R9-40E,127
제조업체 부품 번호
BUK7E1R9-40E,127
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
BUK7E1R9-40E,127 가격 및 조달

가능 수량

8835 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,489.64200
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 BUK7E1R9-40E,127 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. BUK7E1R9-40E,127 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BUK7E1R9-40E,127가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
BUK7E1R9-40E,127 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
BUK7E1R9-40E,127 매개 변수
내부 부품 번호EIS-BUK7E1R9-40E,127
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BUK7E1R9-40E
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C120A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.9m옴 @ 25A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs118nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds9700pF @ 25V
전력 - 최대324W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA
공급 장치 패키지I2PAK
표준 포장 50
다른 이름568-10286
568-10286-5
568-10286-ND
934066982127
BUK7E1R9-40E,127-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)BUK7E1R9-40E,127
관련 링크BUK7E1R9-, BUK7E1R9-40E,127 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
BUK7E1R9-40E,127 의 관련 제품
TVS DIODE 43VWM 69.4VC DO204AC SA43CAHE3/73.pdf
AC/DC CONVERTER 5V 12V 50W S82R-0521.pdf
MSLV-128/68-7VC-10VI LATTICE SMD or Through Hole MSLV-128/68-7VC-10VI.pdf
C10CTH-D1212 ORIGINAL SMD or Through Hole C10CTH-D1212.pdf
2SK1904，2SK1905 SANYO SMD or Through Hole 2SK1904，2SK1905.pdf
SST28ST040A-90-4C-PH SST DIP SST28ST040A-90-4C-PH.pdf
TC55V328AP-20 TOSHIBA SMD or Through Hole TC55V328AP-20.pdf
LTAHH LINEAR SMD or Through Hole LTAHH.pdf
71HF120 IR SMD or Through Hole 71HF120.pdf
ML6423CS-23 MicroLinear SOP ML6423CS-23.pdf
LTM150XH-L01 SAMSUNG SMD or Through Hole LTM150XH-L01.pdf