창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BTS244ZE3062AATMA2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BTS244Z | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | TEMPFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 온도 보호 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13m옴 @ 19A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 130µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 130nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2660pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 170W | |
작동 온도 | -40°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-5, D²Pak(4리드(lead)+탭), TO-263BB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-5 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SP000910844 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BTS244ZE3062AATMA2 | |
관련 링크 | BTS244ZE30, BTS244ZE3062AATMA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 416F24035ILR | 24MHz ±30ppm 수정 12pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F24035ILR.pdf | |
![]() | TL044MJ/883B | TL044MJ/883B TI DIP | TL044MJ/883B.pdf | |
![]() | PTC10LH50R20% | PTC10LH50R20% ORIGINAL SMD or Through Hole | PTC10LH50R20%.pdf | |
![]() | LT458 | LT458 LT SOP-8 | LT458.pdf | |
![]() | 0402-120E100NP | 0402-120E100NP SFI SMD or Through Hole | 0402-120E100NP.pdf | |
![]() | CAT25010YI | CAT25010YI CATALYST TSSOP-8 | CAT25010YI.pdf | |
![]() | CRD1JR22JV | CRD1JR22JV HOKURIKU SMD or Through Hole | CRD1JR22JV.pdf | |
![]() | ES3K-NL | ES3K-NL FAIRCHILD DO-214AB | ES3K-NL.pdf | |
![]() | HFA-1113MJ/883B | HFA-1113MJ/883B HAR SMD or Through Hole | HFA-1113MJ/883B.pdf | |
![]() | EKMM451VSN331MA40T | EKMM451VSN331MA40T NIPPONCHEMI-COM DIP | EKMM451VSN331MA40T.pdf |