창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSZ215CHXTMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSZ215CH | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P 채널 보완 부품 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.1A, 3.2A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 55 m옴 @ 5.1A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.4V @ 110µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.8nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 419pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | SP001277210 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSZ215CHXTMA1 | |
관련 링크 | BSZ215C, BSZ215CHXTMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | SM6T30CA-E3/52 | TVS DIODE 25.6VWM 41.5VC SMB | SM6T30CA-E3/52.pdf | |
![]() | 4K70 | 4K70 ORIGINAL SMD or Through Hole | 4K70.pdf | |
![]() | SMC-S1 | SMC-S1 SMC SMD or Through Hole | SMC-S1.pdf | |
![]() | TPS76615DRG4 | TPS76615DRG4 TI SOP8 | TPS76615DRG4.pdf | |
![]() | EFCH1842TDA1,EFCH942MTDA1 | EFCH1842TDA1,EFCH942MTDA1 ORIGINAL SMD or Through Hole | EFCH1842TDA1,EFCH942MTDA1.pdf | |
![]() | EPF8199F2 | EPF8199F2 PCA SMD or Through Hole | EPF8199F2.pdf | |
![]() | TSC80C3116CB | TSC80C3116CB TEMIC PLCC | TSC80C3116CB.pdf | |
![]() | MI-RAM-I1 | MI-RAM-I1 VICOR SMD or Through Hole | MI-RAM-I1.pdf | |
![]() | ULS2046R/883 | ULS2046R/883 ALLEGRO DIP | ULS2046R/883.pdf | |
![]() | S4B-PH-K-S-GW | S4B-PH-K-S-GW JST SMD or Through Hole | S4B-PH-K-S-GW.pdf | |
![]() | MAX3748HETE#TG16 | MAX3748HETE#TG16 MAXIM TQFN16 | MAX3748HETE#TG16.pdf |