Infineon Technologies BSZ16DN25NS3 G
- 제조업체 부품 번호
- BSZ16DN25NS3 G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
BSZ16DN25NS3 G 가격 및 조달
가능 수량
13550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 769.18534
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 BSZ16DN25NS3 G 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. BSZ16DN25NS3 G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BSZ16DN25NS3 G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- BSZ16DN25NS3 G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSZ16DN25NS3 G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSZ16DN25NS3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSZ16DN25NS3G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.9A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 165m옴 @ 5.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 32µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11.4nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 920pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 62.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSZ16DN25NS3G BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ16DN25NS3GTR SP000781800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSZ16DN25NS3 G | |
| 관련 링크 | BSZ16DN2, BSZ16DN25NS3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
BSZ16DN25NS3 G 의 관련 제품
 | 865230645010 | 22µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 5000 Hrs @ 105°C | 865230645010.pdf | |
 | GRM0225C1E7R2WA03L | 7.2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | GRM0225C1E7R2WA03L.pdf | |
 | CMR05F131GPDP | CMR MICA | CMR05F131GPDP.pdf | |
 | B72214T2351K101 | VARISTOR 560V 6KA 3SIP | B72214T2351K101.pdf | |
 | 402F30711CAT | 30.72MHz ±10ppm 수정 10pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F30711CAT.pdf | |
| TE2000B27RJ | RES CHAS MNT 27 OHM 5% 2000W | TE2000B27RJ.pdf | |
| RE133-3.3/KIA133-3 | RE133-3.3/KIA133-3 KIA SOT89 | RE133-3.3/KIA133-3.pdf | |
| 6VRD48X15LC | 6VRD48X15LC MR DIP24 | 6VRD48X15LC.pdf | |
| UPD78044AGF-197-3B9 | UPD78044AGF-197-3B9 NEC QFP | UPD78044AGF-197-3B9.pdf | |
| RCWP201010k0FKEA | RCWP201010k0FKEA DALE SMD or Through Hole | RCWP201010k0FKEA.pdf | |
| A5740D-A0G16-P | A5740D-A0G16-P P-TWO CONNECTOR | A5740D-A0G16-P.pdf | |
| NE34018-T1B-A | NE34018-T1B-A NEC SOT-343 | NE34018-T1B-A.pdf |