창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSZ120P03NS3GATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSZ120P03NS3 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta), 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.1V @ 73µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3360pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSZ120P03NS3 G BSZ120P03NS3 G-ND SP000709736 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSZ120P03NS3GATMA1 | |
관련 링크 | BSZ120P03N, BSZ120P03NS3GATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
PTKM10R-121VM | 10µH Shielded Toroidal Inductor 8.27A 10 mOhm Max Radial | PTKM10R-121VM.pdf | ||
ELQ3H7(TA) | Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 4 Channel 16-SSOP | ELQ3H7(TA).pdf | ||
PAA110E | PAA110E CPCLARE DIP-8 | PAA110E.pdf | ||
450VXG270M35X30 | 450VXG270M35X30 RUBYCON DIP | 450VXG270M35X30.pdf | ||
CS5521E | CS5521E ON SOP14 | CS5521E.pdf | ||
FPC1011F1 | FPC1011F1 FPC SMD or Through Hole | FPC1011F1.pdf | ||
LM3420M5-12.6 | LM3420M5-12.6 NS SMD or Through Hole | LM3420M5-12.6.pdf | ||
LA3373 | LA3373 SANYO DIP16 | LA3373.pdf | ||
3413.0215.11 | 3413.0215.11 SCHURTER SMD or Through Hole | 3413.0215.11.pdf | ||
MAX639AEWE | MAX639AEWE MAXIM SOP | MAX639AEWE.pdf | ||
SAA5542PS/M4/0161 (L90AN1-1.3) | SAA5542PS/M4/0161 (L90AN1-1.3) Philips DIP-52 | SAA5542PS/M4/0161 (L90AN1-1.3).pdf | ||
GP1UE281RK | GP1UE281RK SHARP SIDE-DIP3 | GP1UE281RK.pdf |