창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSZ105N04NS G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSZ105N04NSG | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1614 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta), 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.5m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 14µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 35W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSZ105N04NSG BSZ105N04NSGATMA1 BSZ105N04NSGINTR BSZ105N04NSGXT SP000388301 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSZ105N04NS G | |
관련 링크 | BSZ105N, BSZ105N04NS G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
FLPIRR2.5IR940 | Infrared (IR) Emitter 940nm 1.25V 100mA 11.78mW/sr @ 50mA 50° Radial | FLPIRR2.5IR940.pdf | ||
AA0603JR-071ML | RES SMD 1M OHM 5% 1/10W 0603 | AA0603JR-071ML.pdf | ||
AF0805FR-071ML | RES SMD 1M OHM 1% 1/8W 0805 | AF0805FR-071ML.pdf | ||
MCW0406MD4531BP100 | RES SMD 4.53K OHM 1/4W 0604 WIDE | MCW0406MD4531BP100.pdf | ||
RCP0603W1K80JEC | RES SMD 1.8K OHM 5% 3.9W 0603 | RCP0603W1K80JEC.pdf | ||
TNPW201064K9BEEY | RES SMD 64.9K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW201064K9BEEY.pdf | ||
REG1117ADJ | REG1117ADJ BB SOT223 | REG1117ADJ.pdf | ||
EVRC18S03Q015010R | EVRC18S03Q015010R AMOTECH SMD or Through Hole | EVRC18S03Q015010R.pdf | ||
RLR05C1003FS | RLR05C1003FS dale SMD or Through Hole | RLR05C1003FS.pdf | ||
KTY23-7 TEL:82766440 | KTY23-7 TEL:82766440 Infineon SOT-23 | KTY23-7 TEL:82766440.pdf |