창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSZ0904NSI | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSZ0904NSI | |
PCN 설계/사양 | OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-channel, 쇼트키, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Ta), 18A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 37W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSZ0904NSIATMA1 BSZ0904NSITR SP000854390 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSZ0904NSI | |
관련 링크 | BSZ090, BSZ0904NSI 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 403C35D36M00000 | 36MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 403C35D36M00000.pdf | |
![]() | SIT1602AIL13-18E-38.400000D | OSC XO 1.8V 38.4MHZ OE | SIT1602AIL13-18E-38.400000D.pdf | |
![]() | NSF8MT-E3/45 | DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC | NSF8MT-E3/45.pdf | |
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![]() | CTU-16S | CTU-16S ORIGINAL TO-220 | CTU-16S.pdf | |
![]() | 3417F | 3417F FUJI SMD or Through Hole | 3417F.pdf | |
![]() | STRS5241GF | STRS5241GF SANKEN SMD or Through Hole | STRS5241GF.pdf | |
![]() | GT30G121 | GT30G121 TOSHIBA TO-220F | GT30G121.pdf | |
![]() | 43031-0011 | 43031-0011 MOLEX SMD or Through Hole | 43031-0011.pdf | |
![]() | 78PR-20K | 78PR-20K ORIGINAL SMD or Through Hole | 78PR-20K.pdf | |
![]() | SSM6P47NU | SSM6P47NU ToShiBa SMD or Through Hole | SSM6P47NU.pdf |