창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSZ0902NSI | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSZ0902NSI | |
PCN 설계/사양 | OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Ta), 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1500pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSZ0902NSIATMA1 BSZ0902NSITR SP000854388 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSZ0902NSI | |
관련 링크 | BSZ090, BSZ0902NSI 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
CD214L-T60CALF | TVS DIODE 60VWM 96.8VC DO214AB | CD214L-T60CALF.pdf | ||
VS-HFA08SD60STRPBF | DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK | VS-HFA08SD60STRPBF.pdf | ||
CRCW060347R0JNTC | RES SMD 47 OHM 5% 1/10W 0603 | CRCW060347R0JNTC.pdf | ||
TPSY107K006S0100 | TPSY107K006S0100 AVX SMD or Through Hole | TPSY107K006S0100.pdf | ||
MVR22HXBRN201 | MVR22HXBRN201 ROHM CHIPVR | MVR22HXBRN201.pdf | ||
ICS443M-07LFT | ICS443M-07LFT ICS SOP-8 | ICS443M-07LFT.pdf | ||
CM3-0806300 | CM3-0806300 SHARLIGHT SMD or Through Hole | CM3-0806300.pdf | ||
50REV1M | 50REV1M RUBYCON SMD or Through Hole | 50REV1M.pdf | ||
BEMB57678 | BEMB57678 NSC SMD or Through Hole | BEMB57678.pdf | ||
A2703B/SUR/S530-A3 | A2703B/SUR/S530-A3 ORIGINAL SMD or Through Hole | A2703B/SUR/S530-A3.pdf |