창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSZ088N03LSGATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSZ088N03LS G | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1614 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Ta), 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.8m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1700pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 35W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSZ088N03LS G BSZ088N03LSG BSZ088N03LSGINTR BSZ088N03LSGINTR-ND BSZ088N03LSGXT SP000304138 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSZ088N03LSGATMA1 | |
관련 링크 | BSZ088N03L, BSZ088N03LSGATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
GRM1887U2A8R0DZ01D | 8pF 100V 세라믹 커패시터 U2J 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1887U2A8R0DZ01D.pdf | ||
RNF18FTD309K | RES 309K OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTD309K.pdf | ||
RF2304TR13 | RF2304TR13 RFMD SMD or Through Hole | RF2304TR13.pdf | ||
SC1114PG | SC1114PG POWER DIP-7 | SC1114PG.pdf | ||
CS4280 | CS4280 ORIGINAL QFP-100 | CS4280.pdf | ||
AVR-M1608C270KT2AC | AVR-M1608C270KT2AC TDK SMD or Through Hole | AVR-M1608C270KT2AC.pdf | ||
TL431SDT,235. | TL431SDT,235. NXP SMD or Through Hole | TL431SDT,235..pdf | ||
B6018 | B6018 PULSE SMD or Through Hole | B6018.pdf | ||
VC5007-0001 | VC5007-0001 VLSI SMD or Through Hole | VC5007-0001.pdf | ||
MC68FC000FN8 | MC68FC000FN8 ORIGINAL SMD or Through Hole | MC68FC000FN8.pdf | ||
AM29LV640DU-120RPCE | AM29LV640DU-120RPCE AMD BGA | AM29LV640DU-120RPCE.pdf |