창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSZ014NE2LS5IFATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSZ014NE2LS5IF | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-channel, 쇼트키, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 31A(Ta), 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.45m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 33nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2300pF @ 12V | |
전력 - 최대 | 2.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | SP001258924 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSZ014NE2LS5IFATMA1 | |
관련 링크 | BSZ014NE2LS, BSZ014NE2LS5IFATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
85F10K5 | RES 10.5K OHM 5W 1% AXIAL | 85F10K5.pdf | ||
XC3042VQ100-7 | XC3042VQ100-7 XILINX QFP | XC3042VQ100-7.pdf | ||
22284025 | 22284025 MOLEX SMD or Through Hole | 22284025.pdf | ||
FS-335 299.3M/50-L0 | FS-335 299.3M/50-L0 SEIKO SMD or Through Hole | FS-335 299.3M/50-L0.pdf | ||
105X7R562K100AT | 105X7R562K100AT KYOCERA SMD or Through Hole | 105X7R562K100AT.pdf | ||
E2S-Q11 1M BY OMS | E2S-Q11 1M BY OMS OMRON SMD or Through Hole | E2S-Q11 1M BY OMS.pdf | ||
H160 | H160 ORIGINAL SOP8 | H160.pdf | ||
RS-05K182JT | RS-05K182JT FENGHUA SMD or Through Hole | RS-05K182JT.pdf | ||
KRS121E-RTK/P | KRS121E-RTK/P KEC SOT-423 | KRS121E-RTK/P.pdf | ||
CI-B2012-100JJT | CI-B2012-100JJT CTC SMD | CI-B2012-100JJT.pdf | ||
MTP3403N3 | MTP3403N3 GTM SOT-23 | MTP3403N3.pdf | ||
HHE85505-D1 | HHE85505-D1 HI-SINCERITY TO-92 | HHE85505-D1.pdf |