창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSV236SPH6327XTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSV236SP | |
PCN 포장 | Reel Cover Tape Chg 16/Feb/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 175m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 8µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.7nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 228pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 560mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | PG-SOT363-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BSV236SP H6327 BSV236SP H6327-ND BSV236SP H6327TR-ND BSV236SPH6327 BSV236SPH6327XTSA1TR SP000917672 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSV236SPH6327XTSA1 | |
관련 링크 | BSV236SPH6, BSV236SPH6327XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
PRD-11DH0-24 | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) 24VDC Coil Chassis Mount | PRD-11DH0-24.pdf | ||
MF20171H | MF20171H DS PLCC-44 | MF20171H.pdf | ||
AT89C52/24PA | AT89C52/24PA ORIGINAL DIP | AT89C52/24PA.pdf | ||
PC1601LRU-HWA-K | PC1601LRU-HWA-K Powertip SMD or Through Hole | PC1601LRU-HWA-K.pdf | ||
7E66S-2R0N | 7E66S-2R0N SAGAMI 7E66S | 7E66S-2R0N.pdf | ||
EP3CLS100F484C8 | EP3CLS100F484C8 ALTERA BGA | EP3CLS100F484C8.pdf | ||
HM9270DXF | HM9270DXF EMC DIP-18 | HM9270DXF.pdf | ||
HKE74HCT21 | HKE74HCT21 HKE DIP | HKE74HCT21.pdf | ||
ELF15N010A | ELF15N010A panasonic SMD or Through Hole | ELF15N010A.pdf | ||
RZ1H476M0811M | RZ1H476M0811M SAMWHA SMD or Through Hole | RZ1H476M0811M.pdf | ||
RC1206JR-07-82K | RC1206JR-07-82K YAGEO SMD or Through Hole | RC1206JR-07-82K.pdf | ||
GI4055 | GI4055 IR TO-220F | GI4055.pdf |