홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » BSS84WQ-7-F

Diodes Incorporated BSS84WQ-7-F

BSS84WQ-7-F
제조업체 부품 번호
BSS84WQ-7-F
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
데이터 시트 다운로드
다운로드
BSS84WQ-7-F 가격 및 조달

가능 수량

11550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 72.58680
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 BSS84WQ-7-F 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. BSS84WQ-7-F 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BSS84WQ-7-F가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
BSS84WQ-7-F 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
BSS84WQ-7-F 매개 변수
내부 부품 번호EIS-BSS84WQ-7-F
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BSS84W(Q)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)50V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C130mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs10옴 @ 100mA, 5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds45pF @ 25V
전력 - 최대200mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-70, SOT-323
공급 장치 패키지SOT-323
표준 포장 3,000
다른 이름BSS84WQ-7-FDITR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)BSS84WQ-7-F
관련 링크BSS84W, BSS84WQ-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
BSS84WQ-7-F 의 관련 제품
0.47µF 100V 세라믹 커패시터 JB 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) C3225JB2A474K200AA.pdf
TRANS NPN 20V 1A SOT89-3 DCX68-25-13.pdf
SENS PHOTO 50-500MM 12-24VDC PNP CX-481-P-C05.pdf
MC74F257AML MOT SMD or Through Hole MC74F257AML.pdf
NTH5G31B102K ORIGINAL SMD or Through Hole NTH5G31B102K.pdf
V55C2256164VBK7I SDRAM ORIGINAL SMD or Through Hole V55C2256164VBK7I SDRAM.pdf
TA78M15SB(TP，Q) TOSHIBA SMD or Through Hole TA78M15SB(TP，Q).pdf
HDY5050LED LED SMD or Through Hole HDY5050LED.pdf
ATGT1141LM ORIGINAL SOP ATGT1141LM.pdf
SWPA8040S ORIGINAL SMD SWPA8040S.pdf
TVS07FCI1335PC AMPHENOL original pack TVS07FCI1335PC.pdf