창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSS84DW-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSS84DW Datasheet | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 Bond Wire 3/May/2011 | |
| PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1573 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 130mA | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10옴 @ 100mA, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 45pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BSS84DW-FDITR BSS84DW7F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSS84DW-7-F | |
| 관련 링크 | BSS84D, BSS84DW-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
| 200VXH1000MEFCSN25X45 | 1000µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 5000 Hrs @ 105°C | 200VXH1000MEFCSN25X45.pdf | ||
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![]() | CW01068R00JE73HE | RES 68 OHM 13W 5% AXIAL | CW01068R00JE73HE.pdf | |
![]() | M-DISK/01-AS-038-00 | M-DISK/01-AS-038-00 M-DISK QFP48 | M-DISK/01-AS-038-00.pdf | |
![]() | ME331C1M3 | ME331C1M3 ME SOT23-3 | ME331C1M3.pdf | |
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