창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSS84AK,215 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSS84AK Datasheet | |
| PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5옴 @ 100mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.35nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 36pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 350mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23(TO-236AB) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-10310-2 934065304215 BSS84AK,215-ND BSS84AK215 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSS84AK,215 | |
| 관련 링크 | BSS84A, BSS84AK,215 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | MCR18EZPJ160 | RES SMD 16 OHM 5% 1/4W 1206 | MCR18EZPJ160.pdf | |
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![]() | EAF8RM06C | EAF8RM06C ORIGINAL SMD or Through Hole | EAF8RM06C.pdf | |
![]() | RC2123DPL100 | RC2123DPL100 ROCKWELLINTERNATIONAL ORIGINAL | RC2123DPL100.pdf | |
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![]() | MBR40100AC | MBR40100AC MHCHXM TO-220AC | MBR40100AC.pdf | |
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