창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSS159NH6327XTSA2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSS159N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | SIPMOS® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 공핍 모드 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 230mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5옴 @ 160mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 26µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.4nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 39pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 360mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-SOT23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BSS159NH6327XTSA2TR SP000919328 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSS159NH6327XTSA2 | |
관련 링크 | BSS159NH63, BSS159NH6327XTSA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
LP040F33CET | 4MHz ±30ppm 수정 20pF 120옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP040F33CET.pdf | ||
PBRC-10.24BR07 | 10.24MHz Ceramic Resonator Built in Capacitor 10pF ±0.1% 150 Ohm -20°C ~ 80°C Surface Mount | PBRC-10.24BR07.pdf | ||
1N4749A_T50A | DIODE ZENER 24V 1W DO41 | 1N4749A_T50A.pdf | ||
MAX14850ASE+ | General Purpose Digital Isolator 600Vrms 6 Channel 2Mbps, 50Mbps 1.5kV/µs CMTI 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | MAX14850ASE+.pdf | ||
64YR50LF | 64YR50LF BITECHNOLOGIES SMD or Through Hole | 64YR50LF.pdf | ||
S5420F/883C | S5420F/883C NS DIP | S5420F/883C.pdf | ||
DMG2307L | DMG2307L DIODES SOT-23 | DMG2307L.pdf | ||
D332Z20Y5VH6.J5R | D332Z20Y5VH6.J5R VISHAY DIP | D332Z20Y5VH6.J5R.pdf | ||
DG419DY/AG | DG419DY/AG ADI/PHI SOP8 | DG419DY/AG.pdf | ||
L1669 | L1669 HIT TO220 | L1669.pdf | ||
KS9282C | KS9282C SAMSUNG QFP-80P | KS9282C.pdf | ||
DLW5BSN191 | DLW5BSN191 MURATA SMD or Through Hole | DLW5BSN191.pdf |