창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSS138DW-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSS138DW Datasheet | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 Bond Wire 16/Sept/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5옴 @ 220mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 200mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BSS138DW-FDITR BSS138DW7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSS138DW-7-F | |
관련 링크 | BSS138D, BSS138DW-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | 0216004.TXP | FUSE CERAMIC 4A 250VAC 5X20MM | 0216004.TXP.pdf | |
![]() | CPF1206B10RE1 | RES SMD 10 OHM 0.1% 1/8W 1206 | CPF1206B10RE1.pdf | |
![]() | RNMF14FTC56R0 | RES 56 OHM 1/4W 1% AXIAL | RNMF14FTC56R0.pdf | |
![]() | ITT10.0MT | ITT10.0MT ORIGINAL SMD or Through Hole | ITT10.0MT.pdf | |
![]() | BJW | BJW TI QFN-16 | BJW.pdf | |
![]() | DS18B20 LM35 | DS18B20 LM35 DANDN SMD or Through Hole | DS18B20 LM35.pdf | |
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![]() | FA1F4Z-P | FA1F4Z-P NEC SOT-23 | FA1F4Z-P.pdf | |
![]() | MLP2520P2R2M | MLP2520P2R2M TDK SMD or Through Hole | MLP2520P2R2M.pdf | |
![]() | BSZ105N04N | BSZ105N04N Infineon QFN8 | BSZ105N04N.pdf | |
![]() | M50761-154P | M50761-154P MIT DIP | M50761-154P.pdf | |
![]() | TDA8361E-3Y | TDA8361E-3Y PHI DIP-52P | TDA8361E-3Y.pdf |