창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSS127S-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSS127 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160옴 @ 16mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.08nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 21.8pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 610mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BSS127S-7DITR BSS127S7 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSS127S-7 | |
| 관련 링크 | BSS12, BSS127S-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | NLCV25T-4R7M-PF | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 285mA 1.04 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | NLCV25T-4R7M-PF.pdf | |
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![]() | CMF551K2000BEEB | RES 1.2K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF551K2000BEEB.pdf | |
![]() | CMF553K9200BEBF | RES 3.92K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF553K9200BEBF.pdf | |
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![]() | MMBTA94LT2G | MMBTA94LT2G ORIGINAL DIPSMD | MMBTA94LT2G.pdf | |
![]() | ICX483AQA | ICX483AQA SONY QIP80 | ICX483AQA.pdf | |
![]() | P214A05 | P214A05 tyco MODULE | P214A05.pdf | |
![]() | BDS60 | BDS60 PHILIPS SOT-223 | BDS60.pdf | |
![]() | XC3S1600EFG | XC3S1600EFG TI SMD or Through Hole | XC3S1600EFG.pdf | |
![]() | AZ431AZ-ATR$FAN431LZXA T-B | AZ431AZ-ATR$FAN431LZXA T-B BCD NA | AZ431AZ-ATR$FAN431LZXA T-B.pdf | |
![]() | SMDR4SA | SMDR4SA NEW SMD or Through Hole | SMDR4SA.pdf |