홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » BSS123WQ-7-F

Diodes Incorporated BSS123WQ-7-F

BSS123WQ-7-F
제조업체 부품 번호
BSS123WQ-7-F
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT323
데이터 시트 다운로드
다운로드
BSS123WQ-7-F 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 40.15440
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 BSS123WQ-7-F 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. BSS123WQ-7-F 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BSS123WQ-7-F가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
BSS123WQ-7-F 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
BSS123WQ-7-F 매개 변수
내부 부품 번호EIS-BSS123WQ-7-F
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BSS123WQ
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C170mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs6옴 @ 170mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds60pF @ 25V
전력 - 최대200mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-70, SOT-323
공급 장치 패키지SOT-323
표준 포장 3,000
다른 이름BSS123WQ-7-FDITR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)BSS123WQ-7-F
관련 링크BSS123W, BSS123WQ-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
BSS123WQ-7-F 의 관련 제품
5600µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 7000 Hrs @ 105°C ELXZ6R3ELL562MK35S.pdf
DIODE GEN PURP 400V 2A SMA MURA140T3.pdf
AC/DC CONVERTER 24V 96W ADNB040-24-1PM-C.pdf
CDVT2109 MICRONAS QFP CDVT2109.pdf
V23061-B1007-A401 TYCO/SCHRACK B V23061-B1007-A401.pdf
RC336ACFA-D RW PLCC RC336ACFA-D.pdf
F2A 1AV/1AW/1AU ORIGINAL SM-3 F2A 1AV/1AW/1AU.pdf
VILA20K01 MOT DIP14 VILA20K01.pdf
D01-RLZ2200-R06 ORIGINAL SMD or Through Hole D01-RLZ2200-R06.pdf
PIC16C558-04I/SO Microchip SMD or Through Hole PIC16C558-04I/SO.pdf
BW-N30W5 MINI SMD or Through Hole BW-N30W5.pdf
IRF23N15 IR TO-220 IRF23N15.pdf