Infineon Technologies BSR316PL6327HTSA1
- 제조업체 부품 번호
- BSR316PL6327HTSA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59
- 데이터 시트 다운로드
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BSR316PL6327HTSA1 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
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창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
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BSR316PL6327HTSA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSR316PL6327HTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSR316P | |
| PCN 단종/ EOL | Device Migration 01/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | SIPMOS® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 360mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.8옴 @ 360mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 170µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 165pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-SC-59 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BSR316P L6327 BSR316P L6327-ND SP000265407 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSR316PL6327HTSA1 | |
| 관련 링크 | BSR316PL63, BSR316PL6327HTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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