창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSP50H6327XTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSP50-52 | |
PCN 단종/ EOL | Multi Device EOL 4/Feb/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
트랜지스터 유형 | NPN - 달링턴 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 1A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 45V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1mA, 1A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 10µA | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 2000 @ 500mA, 10V | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
주파수 - 트랜지션 | 200MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | PG-SOT223-4 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | BSP 50 H6327 BSP 50 H6327-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSP50H6327XTSA1 | |
관련 링크 | BSP50H632, BSP50H6327XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
1N1127A | 1N1127A microsemi DO-4 | 1N1127A.pdf | ||
E3F3-T11 | E3F3-T11 OMRON SMD or Through Hole | E3F3-T11.pdf | ||
1808NPO200J/3KV | 1808NPO200J/3KV ORIGINAL SMD or Through Hole | 1808NPO200J/3KV.pdf | ||
SST39SF512 90 4CWHT | SST39SF512 90 4CWHT SST SMD or Through Hole | SST39SF512 90 4CWHT.pdf | ||
55329Y02 | 55329Y02 ALPINE QFP | 55329Y02.pdf | ||
SUB85N04-03 | SUB85N04-03 VISHAY SMD or Through Hole | SUB85N04-03.pdf | ||
S12MD2-1 | S12MD2-1 N/A DIP-4 | S12MD2-1.pdf | ||
D98539 | D98539 PHI DIP-14 | D98539.pdf | ||
C1608X5R1H335K | C1608X5R1H335K TDK SMD | C1608X5R1H335K.pdf | ||
37.0236M | 37.0236M TOYO SMD or Through Hole | 37.0236M.pdf | ||
HRS3TH-S-DC24V | HRS3TH-S-DC24V HKE DIP-SOP | HRS3TH-S-DC24V.pdf | ||
QST-6 | QST-6 FESTO SMD or Through Hole | QST-6.pdf |