창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSP321PH6327XTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSP321P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | SIPMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 980mA(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 900m옴 @ 980mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 380µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 319pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-SOT223-4 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SP001058782 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSP321PH6327XTSA1 | |
| 관련 링크 | BSP321PH63, BSP321PH6327XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | DS1000-175 | DS1000-175 DALLAS DIP-14 | DS1000-175.pdf | |
![]() | 9018L T/R | 9018L T/R UTC TO92 | 9018L T/R.pdf | |
![]() | EP1S10F627I7 | EP1S10F627I7 ALTERA BGA | EP1S10F627I7.pdf | |
![]() | 6.3SSV100M6.3X4.5 | 6.3SSV100M6.3X4.5 Rubycon DIP-2 | 6.3SSV100M6.3X4.5.pdf | |
![]() | TI16R4-25 | TI16R4-25 TI PLCC-20 | TI16R4-25.pdf | |
![]() | CM740128 | CM740128 ORIGINAL SOP-56L | CM740128.pdf | |
![]() | GSC2XI-7480-MCM1.1 | GSC2XI-7480-MCM1.1 SIRF BGA | GSC2XI-7480-MCM1.1.pdf | |
![]() | VP2126A | VP2126A VLSI TQFP128 | VP2126A.pdf | |
![]() | AME8800NEFTZ-2.9 | AME8800NEFTZ-2.9 AME SOT-89 | AME8800NEFTZ-2.9.pdf | |
![]() | BLA3216A600SG4T1M0 | BLA3216A600SG4T1M0 muRata BeadArray | BLA3216A600SG4T1M0.pdf | |
![]() | CB44G | CB44G NO SOP-14 | CB44G.pdf | |
![]() | K9K1208UOM-YCBO | K9K1208UOM-YCBO SAMSUNG TSOP | K9K1208UOM-YCBO.pdf |