창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSP298H6327XUSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSP298 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | SIPMOS® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 500mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | * | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | PG-SOT223-4 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | BSP298H6327XUSA1TR SP001058626 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSP298H6327XUSA1 | |
관련 링크 | BSP298H63, BSP298H6327XUSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | LGG2W681MELC50 | 680µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 105°C | LGG2W681MELC50.pdf | |
![]() | GRM2196R2A111JZ01D | 110pF 100V 세라믹 커패시터 R2H 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2196R2A111JZ01D.pdf | |
![]() | DB2W40100L | DIODE GEN PURP 40V 1A MINI2 | DB2W40100L.pdf | |
![]() | 4D1240 | Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) Hockey Puck | 4D1240.pdf | |
![]() | GS47M16V-L3.5V | GS47M16V-L3.5V I-SING SMD or Through Hole | GS47M16V-L3.5V.pdf | |
![]() | LS219AN | LS219AN TI DIP-16 | LS219AN.pdf | |
![]() | DD285N1200K | DD285N1200K AEG MODULE | DD285N1200K.pdf | |
![]() | 0603 56K J | 0603 56K J YAGEO SMD or Through Hole | 0603 56K J.pdf | |
![]() | vcas121018j390d | vcas121018j390d avx SMD or Through Hole | vcas121018j390d.pdf | |
![]() | USB97C202-MN-04. | USB97C202-MN-04. SMSC TQFP100 | USB97C202-MN-04..pdf | |
![]() | WSI27C256F-55 | WSI27C256F-55 WSI DIP | WSI27C256F-55.pdf |