Infineon Technologies BSO612CVGHUMA1
- 제조업체 부품 번호
- BSO612CVGHUMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
BSO612CVGHUMA1 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 414.19560
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 BSO612CVGHUMA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. BSO612CVGHUMA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BSO612CVGHUMA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- BSO612CVGHUMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BSO612CVGHUMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BSO612CVGHUMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSO 612 CV G | |
| 카탈로그 페이지 | 1614 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | SIPMOS® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A, 2A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 20µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 340pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-DSO-8 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | BSO612CV G BSO612CV G-ND BSO612CVGINTR BSO612CVGINTR-ND BSO612CVGT BSO612CVGXT BSO612CVT BSO612CVXTINTR BSO612CVXTINTR-ND SP000216307 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSO612CVGHUMA1 | |
| 관련 링크 | BSO612CV, BSO612CVGHUMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
BSO612CVGHUMA1 의 관련 제품
 | SA102A390JAR | 39pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 축방향 0.100" Dia x 0.170" L(2.54mm x 4.32mm) | SA102A390JAR.pdf | |
 | IMC1210EB1R0J | 1µH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 700 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210EB1R0J.pdf | |
 | RL875S-821K-RC | 820µH Shielded Wirewound Inductor 260mA 2.33 Ohm Max Radial | RL875S-821K-RC.pdf | |
.jpg) | RLP73N1JR13JTD | RES SMD 0.13 OHM 5% 1/8W 0603 | RLP73N1JR13JTD.pdf | |
 | MCR10ERTF1213 | RES SMD 121K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10ERTF1213.pdf | |
 | PCMB101E-1R0MS | PCMB101E-1R0MS CYNTEC SMD | PCMB101E-1R0MS.pdf | |
| MS-320/1PZ | MS-320/1PZ LATTICE BGA | MS-320/1PZ.pdf | |
| SKN51/04 | SKN51/04 SEMIKRON STUD | SKN51/04.pdf | |
| SKY7413721A | SKY7413721A SKYWORKS SMD or Through Hole | SKY7413721A.pdf | |
| 0402 5.6M J | 0402 5.6M J TASUND SMD or Through Hole | 0402 5.6M J.pdf | |
| FM3200-W | FM3200-W RECTRON DO-214AB | FM3200-W.pdf |