창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSO303SPHXUMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSO303SP H | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 21m옴 @ 9.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 54nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2330pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.56W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | PG-DSO-8 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | BSO303SP H BSO303SP H-ND BSO303SP HTR-ND BSO303SPH SP000613848 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSO303SPHXUMA1 | |
관련 링크 | BSO303SP, BSO303SPHXUMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | TH3B106M016F2000 | 10µF Molded Tantalum Capacitors 16V 1411 (3528 Metric) 2 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | TH3B106M016F2000.pdf | |
![]() | CRG1206F33K | RES SMD 33K OHM 1% 1/4W 1206 | CRG1206F33K.pdf | |
![]() | CMF552K0300BEEB | RES 2.03K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF552K0300BEEB.pdf | |
![]() | BFS17-E6327 | BFS17-E6327 Infineon SMD or Through Hole | BFS17-E6327.pdf | |
![]() | T6201015 | T6201015 Powerex module | T6201015.pdf | |
![]() | 620118 | 620118 SIPEX QFN | 620118.pdf | |
![]() | UPA1917TE-T1-A | UPA1917TE-T1-A NEC SMD or Through Hole | UPA1917TE-T1-A.pdf | |
![]() | AD544KH/AKH | AD544KH/AKH AD CAN8 | AD544KH/AKH.pdf | |
![]() | RK73H2ETTDD4120F | RK73H2ETTDD4120F KOA SMD or Through Hole | RK73H2ETTDD4120F.pdf | |
![]() | NJM2121M(TE1) | NJM2121M(TE1) JRC SOP8 | NJM2121M(TE1).pdf | |
![]() | BC182AG | BC182AG ONSemiconductor SMD or Through Hole | BC182AG.pdf | |
![]() | TSI150 | TSI150 ST SOP | TSI150.pdf |