창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSO200P03SHXUMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSO200P03S H | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.4A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 9.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 54nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2330pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.56W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | PG-DSO-8 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | BSO200P03S H BSO200P03S H-ND SP000613850 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSO200P03SHXUMA1 | |
관련 링크 | BSO200P03, BSO200P03SHXUMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
SPP-7H1000 | FUSE MOD 1000A 700V BLADE | SPP-7H1000.pdf | ||
2SK2035(T5L,F,T) | MOSFET N-CH 20V 0.1A SSM | 2SK2035(T5L,F,T).pdf | ||
BRHL2518T4R7MD | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 750mA 318.5 mOhm Max 1007 (2518 Metric) | BRHL2518T4R7MD.pdf | ||
RMCP2010FT63K4 | RES SMD 63.4K OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT63K4.pdf | ||
KCPDA04-123 | KCPDA04-123 KINGBRIGHT SMD or Through Hole | KCPDA04-123.pdf | ||
K8D3216UTC | K8D3216UTC SAMSUNG TSOP | K8D3216UTC.pdf | ||
DL1L5OK600S | DL1L5OK600S TFTCORP SMD or Through Hole | DL1L5OK600S.pdf | ||
76102 | 76102 FAIRCHILD SMD or Through Hole | 76102.pdf | ||
BC375A | BC375A PHILIPS TO-92 | BC375A.pdf | ||
2016A13 | 2016A13 ORIGINAL NEW | 2016A13.pdf | ||
65863-140 | 65863-140 ORIGINAL SMD or Through Hole | 65863-140.pdf |