창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSO094N03S | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSO094N03S | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.1m옴 @ 13A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 30µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2300pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1.56W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-DSO-8 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | BSO094N03SNT BSO094N03SXT SP000077648 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSO094N03S | |
| 관련 링크 | BSO094, BSO094N03S 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CRG0603F28K7 | RES SMD 28.7K OHM 1% 1/10W 0603 | CRG0603F28K7.pdf | |
![]() | SM6227FT2K49 | RES SMD 2.49K OHM 1% 3W 6227 | SM6227FT2K49.pdf | |
![]() | M29W064FB6AZA6E | M29W064FB6AZA6E NumonyxST SMD or Through Hole | M29W064FB6AZA6E.pdf | |
![]() | 3J-1J1F2 | 3J-1J1F2 SANKOSHA SMD or Through Hole | 3J-1J1F2.pdf | |
![]() | TLC277CDR | TLC277CDR TI SOP8 | TLC277CDR .pdf | |
![]() | AD7948ANZ-B | AD7948ANZ-B ADI SMD or Through Hole | AD7948ANZ-B.pdf | |
![]() | TC7SH08FU/H.2 | TC7SH08FU/H.2 TOS SOT23 | TC7SH08FU/H.2.pdf | |
![]() | HIF3H-12DA-2.54DSA(71) | HIF3H-12DA-2.54DSA(71) HIROSE SMD or Through Hole | HIF3H-12DA-2.54DSA(71).pdf | |
![]() | ADC08831IMM/NOPB | ADC08831IMM/NOPB NSC TSSOP8 | ADC08831IMM/NOPB.pdf | |
![]() | MMA020415BO12K4 | MMA020415BO12K4 VISHAY SMD | MMA020415BO12K4.pdf | |
![]() | IPP065N03L | IPP065N03L Infineon TO-220 | IPP065N03L.pdf |