창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSO080P03NS3EGXUMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSO080P03NS3E G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 14.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.1V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 81nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6750pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | PG-DSO-8 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | BSO080P03NS3E G BSO080P03NS3E G-ND BSO080P03NS3E GTR-ND BSO080P03NS3EG SP000472992 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSO080P03NS3EGXUMA1 | |
관련 링크 | BSO080P03NS, BSO080P03NS3EGXUMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | EKMH451VNN221MQ50S | 220µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 1.13 Ohm 2000 Hrs @ 105°C | EKMH451VNN221MQ50S.pdf | |
![]() | 08052U6R8CAT2A | 6.8pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08052U6R8CAT2A.pdf | |
![]() | C0603C200C3GACTU | 20pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C200C3GACTU.pdf | |
![]() | GRM1556P1HR60BD01D | 0.60pF 50V 세라믹 커패시터 P2H 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1556P1HR60BD01D.pdf | |
![]() | 88E1114-C2-NNC1C000 | 88E1114-C2-NNC1C000 marvell SMD or Through Hole | 88E1114-C2-NNC1C000.pdf | |
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![]() | S1206S5 | S1206S5 SEMITEL SMD or Through Hole | S1206S5.pdf | |
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![]() | 1.5SMCJ10CA ( TR ) | 1.5SMCJ10CA ( TR ) ORIGINAL SMD or Through Hole | 1.5SMCJ10CA ( TR ).pdf | |
![]() | JC-E0417-1 | JC-E0417-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | JC-E0417-1.pdf | |
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