창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSO051N03MS G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSO051N03MS G | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 26/Jul/2012 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.1m옴 @ 18A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4300pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1.56W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-DSO-8 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | BSO051N03MS GINCT BSO051N03MSG | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSO051N03MS G | |
| 관련 링크 | BSO051N, BSO051N03MS G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D150JLCAP | 15pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D150JLCAP.pdf | |
![]() | GCM0335C1E6R4DD03D | 6.4pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GCM0335C1E6R4DD03D.pdf | |
![]() | C5SMF-BJF-CR0U0351 | Blue 470nm LED Indication - Discrete 3.4V Radial | C5SMF-BJF-CR0U0351.pdf | |
![]() | KA1000012A-AJTT | KA1000012A-AJTT SAMSUNG BGA | KA1000012A-AJTT.pdf | |
![]() | 40.000MHZ SMD(5*3.2) 3.3V | 40.000MHZ SMD(5*3.2) 3.3V TQG SMD or Through Hole | 40.000MHZ SMD(5*3.2) 3.3V.pdf | |
![]() | P532 | P532 TOSH DIP6 | P532.pdf | |
![]() | 2SB617A | 2SB617A NEC MT-100 | 2SB617A.pdf | |
![]() | SSD05 | SSD05 SENCHIP SOD-323 | SSD05.pdf | |
![]() | 8150J | 8150J SK DIP | 8150J.pdf | |
![]() | EZ80F910200ZC0 | EZ80F910200ZC0 ZILOG SMD or Through Hole | EZ80F910200ZC0.pdf | |
![]() | E1Q29 | E1Q29 NO SMD or Through Hole | E1Q29.pdf |