창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSM180D12P2C101 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSM180D12P2C101 BSM180D12P2C101 | |
주요제품 | Full-SiC Half-Bridge Power Modules 1200 V Silicon Carbide (SiC) Diodes | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 35.2mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 23000pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1130W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | * | |
패키지/케이스 | 모듈 | |
공급 장치 패키지 | 모듈 | |
표준 포장 | 12 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSM180D12P2C101 | |
관련 링크 | BSM180D12, BSM180D12P2C101 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
ZPY30-TR | DIODE ZENER 30V 1.3W DO41 | ZPY30-TR.pdf | ||
NE85618-T1-A | RF TRANSISTOR NPN SOT-343 | NE85618-T1-A.pdf | ||
MCR10EZHF1602 | RES SMD 16K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10EZHF1602.pdf | ||
AMS22S5A1BLAFL123 | ROTARY NON-CONTACT ANALOG SENSOR | AMS22S5A1BLAFL123.pdf | ||
HSCDDRD025MD2A5 | Pressure Sensor ±0.36 PSI (±2.5 kPa) Differential Male - 0.08" (1.93mm) Tube, Dual 12 b 8-DIP (0.524", 13.30mm), Dual Ports, Opposite Sides | HSCDDRD025MD2A5.pdf | ||
SG730PCN-C-16.00MHZ | SG730PCN-C-16.00MHZ EPSON SMD or Through Hole | SG730PCN-C-16.00MHZ.pdf | ||
BPD-BQB931 | BPD-BQB931 BRIGHT ROHS | BPD-BQB931.pdf | ||
201R15N331KV4T | 201R15N331KV4T JDI HK11 | 201R15N331KV4T.pdf | ||
LM2703MFX - ADJ (XHZ) | LM2703MFX - ADJ (XHZ) NSC SOT153 | LM2703MFX - ADJ (XHZ).pdf | ||
OP22HP | OP22HP PMI DIP8 | OP22HP.pdf | ||
AT-31011 NOPB | AT-31011 NOPB AVAGO SOT23 | AT-31011 NOPB.pdf | ||
DS2302T | DS2302T QFP SMD or Through Hole | DS2302T.pdf |