창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSD316SNL6327XT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSD316SN | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 30/Nov/2011 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.4A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 1.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 3.7µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.6nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 94pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 500mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | PG-SOT363-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BSD316SN L6327 BSD316SN L6327-ND BSD316SN L6327INTR BSD316SN L6327INTR-ND SP000442462 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSD316SNL6327XT | |
관련 링크 | BSD316SNL, BSD316SNL6327XT 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
VJ0603D3R0CXPAJ | 3pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D3R0CXPAJ.pdf | ||
1N4744A-TP | DIODE ZENER 15V 1W DO41G | 1N4744A-TP.pdf | ||
ERJ-S02F33R0X | RES SMD 33 OHM 1% 1/10W 0402 | ERJ-S02F33R0X.pdf | ||
CMF60390R00GKEB | RES 390 OHM 1W 2% AXIAL | CMF60390R00GKEB.pdf | ||
10554DMQB | 10554DMQB N/A CDIP | 10554DMQB.pdf | ||
MC1458DRG4 | MC1458DRG4 TI SOP8 | MC1458DRG4.pdf | ||
UM66TxxLK | UM66TxxLK UTC TO92 | UM66TxxLK.pdf | ||
UC62G4776 | UC62G4776 ORIGINAL SOP20 | UC62G4776.pdf | ||
UNR511D | UNR511D PANASONIC SOT323 | UNR511D.pdf | ||
RC1812JK-07120KL | RC1812JK-07120KL YAGEO SMD | RC1812JK-07120KL.pdf | ||
CR215103FL | CR215103FL ASJ SMD or Through Hole | CR215103FL.pdf |