창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC500N20NS3GATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC500N20NS3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 22A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 60µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1580pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 96W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8(5.15x6.15) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC500N20NS3GATMA1TR SP000998292 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC500N20NS3GATMA1 | |
관련 링크 | BSC500N20N, BSC500N20NS3GATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 12103U181FAT9A | 180pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.49mm) | 12103U181FAT9A.pdf | |
![]() | IMC1210EB5R6K | 5.6µH Unshielded Wirewound Inductor 217mA 1.6 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210EB5R6K.pdf | |
![]() | AA1218FK-071R02L | RES SMD 1.02 OHM 1W 1812 WIDE | AA1218FK-071R02L.pdf | |
![]() | 8879CPBNG6V38 | 8879CPBNG6V38 HISENS DIP | 8879CPBNG6V38.pdf | |
![]() | GT40QR21(STA1,E, | GT40QR21(STA1,E, TOSHIBA TO-3P(N) | GT40QR21(STA1,E,.pdf | |
![]() | 593D686X906R3B2TE3 | 593D686X906R3B2TE3 VISHAY SMD | 593D686X906R3B2TE3.pdf | |
![]() | LM3152 | LM3152 NS TSSOP EXP PAD | LM3152.pdf | |
![]() | LP5551SQ/NOPB | LP5551SQ/NOPB NSC Call | LP5551SQ/NOPB.pdf | |
![]() | TC35821F | TC35821F TOSHIBA TQFP | TC35821F.pdf | |
![]() | TG-UTB01227S | TG-UTB01227S UMEC SMD | TG-UTB01227S.pdf | |
![]() | S1503 | S1503 ORIGINAL TO-252 | S1503.pdf |