창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC0923NDIATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSC0923NDI | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(이중) 비대칭 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A, 32A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1160pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TISON-8 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | SP000934758 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSC0923NDIATMA1 | |
| 관련 링크 | BSC0923ND, BSC0923NDIATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CC0603ZRY5V8BB473 | 0.047µF 25V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CC0603ZRY5V8BB473.pdf | |
![]() | SIT9120AI-1C2-25E212.50000Y | OSC XO 2.5V 212.5MHZ OE | SIT9120AI-1C2-25E212.50000Y.pdf | |
![]() | AD7691BRWZ | AD7691BRWZ AD SMD or Through Hole | AD7691BRWZ.pdf | |
![]() | 82DA122M200MD2D | 82DA122M200MD2D vishay DIP | 82DA122M200MD2D.pdf | |
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![]() | T0812MH | T0812MH ST TO-220 | T0812MH.pdf | |
![]() | 2SK3572(2)-ZK-E1 | 2SK3572(2)-ZK-E1 NEC TO-263 | 2SK3572(2)-ZK-E1.pdf | |
![]() | L141T1 | L141T1 ORIGINAL TO8 | L141T1.pdf | |
![]() | sp430f2013irsar | sp430f2013irsar ti SMD or Through Hole | sp430f2013irsar.pdf | |
![]() | ASM706SESAF | ASM706SESAF ASM SOP-8 | ASM706SESAF.pdf | |
![]() | HC245A. | HC245A. ON TSSOP20 | HC245A..pdf | |
![]() | TMS320DM310ZHK2122 | TMS320DM310ZHK2122 TEXAS BGA | TMS320DM310ZHK2122.pdf |