창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC0906NSATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC0906NS | |
PCN 설계/사양 | OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Ta), 63A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 870pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 30W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC0906NS BSC0906NS-ND BSC0906NSTR-ND SP000893360 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC0906NSATMA1 | |
관련 링크 | BSC0906N, BSC0906NSATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
CDV30FJ122JO3 | MICA | CDV30FJ122JO3.pdf | ||
V82ZU2PX2855 | VARISTOR 82V 1.2KA DISC 7MM | V82ZU2PX2855.pdf | ||
SIT8008AC-13-33E-25.000000G | OSC XO 3.3V 25MHZ | SIT8008AC-13-33E-25.000000G.pdf | ||
C2002B | C2002B MIT SIP-13 | C2002B.pdf | ||
1210106K25V | 1210106K25V MURATA SMD1000 | 1210106K25V.pdf | ||
UA210AHC | UA210AHC FSC CAN8 | UA210AHC.pdf | ||
AD8646WARMZ-R7 | AD8646WARMZ-R7 ADI SMD or Through Hole | AD8646WARMZ-R7.pdf | ||
TSLB30J476M | TSLB30J476M NEC SMD or Through Hole | TSLB30J476M.pdf | ||
UT7115-B C T/R | UT7115-B C T/R UTC TO-92 | UT7115-B C T/R.pdf | ||
OARS1R050F | OARS1R050F IRC SMD or Through Hole | OARS1R050F.pdf | ||
COM2002LI | COM2002LI SMSC TQFP | COM2002LI.pdf | ||
SC4508AML.TRT | SC4508AML.TRT SEMTECH SMD or Through Hole | SC4508AML.TRT.pdf |