창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC082N10LSGATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC082N10LS G | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 20/Jun/2016 Assembly Site Update 26/Jul/2016 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13.8A(Ta), 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.2m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 110µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 104nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7400pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 156W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC082N10LS G BSC082N10LS G-ND BSC082N10LS GTR-ND BSC082N10LSG SP000379609 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC082N10LSGATMA1 | |
관련 링크 | BSC082N10L, BSC082N10LSGATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
S505-2.5-R | FUSE CERAMIC 2.5A 250VAC 5X20MM | S505-2.5-R.pdf | ||
S5J-M3/9AT | DIODE GPP 5A 600V DO-214AB | S5J-M3/9AT.pdf | ||
SLR-342DUTE7 | Orange LED Indication - Discrete 2V Radial | SLR-342DUTE7.pdf | ||
EBMS160808B151 | EBMS160808B151 ORIGINAL SMD or Through Hole | EBMS160808B151.pdf | ||
GR8874KG GR8874KG | GR8874KG GR8874KG ORIGINAL SOP-8 | GR8874KG GR8874KG.pdf | ||
SD103C | SD103C H DO-35 | SD103C.pdf | ||
CL31F105ZBFNNNF (CL31F105ZBNF) | CL31F105ZBFNNNF (CL31F105ZBNF) SAMSUNGEM Call | CL31F105ZBFNNNF (CL31F105ZBNF).pdf | ||
BZY93C10N | BZY93C10N ORIGINAL DO-4 | BZY93C10N.pdf | ||
MAM6200 | MAM6200 OKI QFP | MAM6200.pdf | ||
NCP1575 | NCP1575 ON SOP8 | NCP1575.pdf | ||
APT32GU30K | APT32GU30K APTMICROSEMI TO-220 K | APT32GU30K.pdf | ||
FDN458P-NL | FDN458P-NL NS SOT-223 | FDN458P-NL.pdf |