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Infineon Technologies BSC080P03LS G

BSC080P03LS G
제조업체 부품 번호
BSC080P03LS G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8
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내부 부품 번호EIS-BSC080P03LS G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)3(168시간)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BSC080P03LS G
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C16A(Ta), 30A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs8m옴 @ 30A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs122.4nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds6140pF @ 15V
전력 - 최대89W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지PG-TDSON-8
표준 포장 5,000
다른 이름BSC080P03LS G-ND
BSC080P03LS GTR
BSC080P03LSG
BSC080P03LSGAUMA1
SP000359664
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)BSC080P03LS G
관련 링크BSC080P, BSC080P03LS G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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