창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC070N10NS5ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC070N10NS5 | |
주요제품 | Solutions for Embedded Systems | |
PCN 설계/사양 | Part Marking Update 14/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2700pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC070N10NS5ATMA1TR SP001241596 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC070N10NS5ATMA1 | |
관련 링크 | BSC070N10N, BSC070N10NS5ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | MCS04020C2153FE000 | RES SMD 215K OHM 1% 1/10W 0402 | MCS04020C2153FE000.pdf | |
![]() | IHHP0806ABER2R2M01 | 2.2µH Shielded Inductor 1.8A 155 mOhm Max Nonstandard | IHHP0806ABER2R2M01.pdf | |
![]() | ES1921 | ES1921 ESS QFP | ES1921.pdf | |
![]() | RL0805FR-07R91 | RL0805FR-07R91 PHYCOMP SMD or Through Hole | RL0805FR-07R91.pdf | |
![]() | IRFB5N60 | IRFB5N60 IR TO-220 | IRFB5N60.pdf | |
![]() | HI3-0303-5 | HI3-0303-5 ISL SMD or Through Hole | HI3-0303-5.pdf | |
![]() | M50436-560SP #T | M50436-560SP #T MIT DIP-52P | M50436-560SP #T.pdf | |
![]() | MVQ225011B IX | MVQ225011B IX THALES BGA | MVQ225011B IX.pdf | |
![]() | UPD70F3186GC-8EU | UPD70F3186GC-8EU NEC QFP | UPD70F3186GC-8EU.pdf | |
![]() | F100151 | F100151 ORIGINAL DIP | F100151.pdf | |
![]() | IL211D | IL211D ORIGINAL SOP-14 | IL211D.pdf | |
![]() | DG201GX | DG201GX AD DIP | DG201GX.pdf |