창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC066N06NSATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSC066N06NS | |
| 주요제품 | Solutions for Embedded Systems | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 64A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.6m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.3V @ 20µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1500pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | SP001067000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSC066N06NSATMA1 | |
| 관련 링크 | BSC066N06, BSC066N06NSATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CMR08F823GPAM | CMR MICA | CMR08F823GPAM.pdf | |
![]() | 5STP 80 | FUSE GLASS 80MA 250VAC 5X20MM | 5STP 80.pdf | |
![]() | 8Y-24.000MAHE-T | CRYSTAL 24.000MHZ 12PF SMT | 8Y-24.000MAHE-T.pdf | |
| MKRAWT-02-0000-0D0BH20E4 | LED Lighting XLamp® MK-R White, Neutral 4500K 12V 700mA 120° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad | MKRAWT-02-0000-0D0BH20E4.pdf | ||
![]() | RT1210CRE0722RL | RES SMD 22 OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRE0722RL.pdf | |
![]() | H8475KBZA | RES 475K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H8475KBZA.pdf | |
![]() | KM616V1002AJ-17 | KM616V1002AJ-17 SAMSUNG SMD or Through Hole | KM616V1002AJ-17.pdf | |
![]() | MCP23X17EV | MCP23X17EV MICROCHIP SMD or Through Hole | MCP23X17EV.pdf | |
![]() | F378 | F378 MOTOROLA SOP3.9 | F378.pdf | |
![]() | P1011510 | P1011510 STM SMD or Through Hole | P1011510.pdf | |
![]() | SBR0240LP | SBR0240LP ZETEXDIODES X1-DFN1006-2 | SBR0240LP.pdf | |
![]() | SFD836LH001 | SFD836LH001 SAMSUNG 4KR | SFD836LH001.pdf |