창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC050NE2LS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSC050NE2LS | |
| PCN 설계/사양 | OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 39A(Ta), 58A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.4nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 760pF @ 12V | |
| 전력 - 최대 | 28W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSC050NE2LS-ND BSC050NE2LSATMA1 SP000756340 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSC050NE2LS | |
| 관련 링크 | BSC050, BSC050NE2LS 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | LP250F33CDT | 25MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP250F33CDT.pdf | |
![]() | CLS4D11-4R7NC | 4.7µH Unshielded Inductor 800mA 180 mOhm Max Nonstandard | CLS4D11-4R7NC.pdf | |
![]() | CPCP0510R00FB32 | RES 10 OHM 5W 1% RADIAL | CPCP0510R00FB32.pdf | |
![]() | M1543-B1EA | M1543-B1EA ACER SOP | M1543-B1EA.pdf | |
![]() | JM45AB | JM45AB NS QFN14 | JM45AB.pdf | |
![]() | 121KD25J | 121KD25J RUILON DIP | 121KD25J.pdf | |
![]() | SN7447AN | SN7447AN TI DIP | SN7447AN.pdf | |
![]() | NJU6320EC | NJU6320EC JRC SOP | NJU6320EC.pdf | |
![]() | MAX812EUS-T | MAX812EUS-T MAX SOT23 4 | MAX812EUS-T.pdf | |
![]() | BZT52-B9V1S.. | BZT52-B9V1S.. PANJIT SOD-323 | BZT52-B9V1S...pdf | |
![]() | MB8S, | MB8S, GOOD-ARK MBS | MB8S,.pdf | |
![]() | S10A70-S10A1001 | S10A70-S10A1001 ORIGINAL TR | S10A70-S10A1001.pdf |